Υψηλής Θερμικής Αγωγιμότητας Κεραμικά Υποστρώματα Νιτριδίου του Πυριτίου Ενισχύουν την Απαγωγή Θερμότητας για Ηλεκτρικά Οχήματα και Μονάδες IGBT

Με την ταχεία ανάπτυξη των ηλεκτρικών οχημάτων (EV), των σιδηροδρόμων υψηλής ταχύτητας και των νέων συστημάτων φόρτισης ενέργειας, η θερμική διαχείριση των συσκευών ισχύος έχει γίνει κρίσιμος παράγοντας για την αξιοπιστία του συστήματος. The high thermal conductivity silicon nitride (Si₃N₄) ceramic substrate has emerged as a key material for advanced packaging and heat dissipation in third-generation semiconductor devices such as IGBTs, MOSFETs, και μονάδες SiC.

Κατασκευάζεται από σκόνη νιτρικού πυριτίου υψηλής καθαρότητας, το υπόστρωμα συντρίβεται σε θερμοκρασίες άνω των 2000 °C χρησιμοποιώντας ιδιόκτητη φόρμουλα και διαδικασία θερμής πίεσης.Επιτυγχάνει θερμική αγωγιμότητα άνω των 80 W/m·K, διατηρώντας παράλληλα εξαιρετική ηλεκτρική μόνωσηΣε σύγκριση με το αλουμίνιο και το νιτρίδιο του αλουμινίου, οι κεραμικές Si3N4 προσφέρουν ανώτερη αντοχή και αντοχή σε θερμικά σοκ.διασφάλιση μεγαλύτερης διάρκειας ζωής συσκευής και μεγαλύτερης σταθερότητας συστήματος.

Στις μονάδες κίνησης κινητήρων ηλεκτρικών οχημάτων, στους μετατροπείς, στους μετατροπείς συνεχούς ρεύματος και στους σταθμούς ταχείας φόρτισης, το κεραμικό υπόστρωμα Si3N4 μειώνει αποτελεσματικά τη θερμοκρασία σύνδεσης και βελτιώνει την απόδοση διάσπασης θερμότητας.Η εξαιρετική αντοχή του σε σπασμούς και η αντοχή του στην θερμική κυκλική λειτουργία το καθιστούν ιδανικό για δύσκολες συνθήκες όπως τα υβριδικά οχήματα και τα συστήματα ηλεκτροπαραγωγής σιδηροδρομικών μεταφορών.

Πέρα από τη βιομηχανία ηλεκτρικών οχημάτων, τα υποστρώματα νιτρικού πυριτίου χρησιμοποιούνται επίσης σε συστήματα έλξης σιδηροδρόμων, ηλεκτρονικές μονάδες ελέγχου ισχύος, βιομηχανικούς μετατροπείς και ηλιακούς μετατροπείς.Με τον συνδυασμό της υψηλής θερμικής αγωγιμότηταςΤο Si3N4 υποστρώματα επαναπροσδιορίζουν το μέλλον της συσκευασίας ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος και της θερμικής διαχείρισης.